采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4204DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.25W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@10V
连续漏极电流：19.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4204DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.25W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@10V
连续漏极电流：19.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4204DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.25W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@10V
连续漏极电流：19.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4204DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.25W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@10V
连续漏极电流：19.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
