采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4401NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：375mΩ@630mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4401NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：375mΩ@630mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4401NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：375mΩ@630mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4401NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：375mΩ@630mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902DL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：660mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4401NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：375mΩ@630mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD4401NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：375mΩ@630mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
