品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4212H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:18W
阈值电压:5V@250µA
包装方式:管件
输入电容:490pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:72.5mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4892
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS990DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:12.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHM792TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:4V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@2.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:49mΩ@5.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3601N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:500mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS990DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:12.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4212H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:18W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:490pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:72.5mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7942DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:49mΩ@5.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:49mΩ@5.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7922DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:49mΩ@5.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8602
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:49mΩ@5.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3601N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:500mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: