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    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    漏源电压: 100V
    类型: 2N沟道(双)
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
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    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4212H-117PXKMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4212H-117PXKMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI4212H-117PXKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18W

    阈值电压:5V@250µA

    包装方式:管件

    输入电容:490pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:72.5mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4892 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4892 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4892

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS990DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHM792TRPBF 起订824个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHM792TRPBF 起订824个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHM792TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:4V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:251pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:195mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:49mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3601N 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3601N 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3601N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:153pF@50V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:500mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3992 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3992 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3992

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS990DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A08DN8TA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A08DN8TA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@50V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4212H-117PXKMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4212H-117PXKMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI4212H-117PXKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:490pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:72.5mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS89161LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:302pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:105mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7942DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:49mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS89161LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:302pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:105mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:49mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS89161LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:302pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:105mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A08DN8TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A08DN8TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@50V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS89161

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:105mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS89161LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:302pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:105mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3992 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3992 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3992

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7922DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7922DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7922DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS89161

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:105mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:49mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8602 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8602 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC8602

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@50V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:350mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:49mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3601N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3601N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3601N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:153pF@50V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:500mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS89161LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS89161LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:302pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:105mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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