品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1243pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:382mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N65E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1257pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:363mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N65E-T1-GE3
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功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1257pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:363mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:130W
阈值电压:4V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:363mΩ@6A,10V
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功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
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类型:N沟道
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阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
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输入电容:1243pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:382mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
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功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1257pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:363mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
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阈值电压:4V@250µA
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输入电容:1243pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:382mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
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阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
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输入电容:1243pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:382mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
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导通电阻:363mΩ@6A,10V
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类型:N沟道
连续漏极电流:12A
栅极电荷:68nC@10V
漏源电压:650V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1257pF@100V
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