采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：16A€40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：16A€40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6354
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@15V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR36366
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€28W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：30A€34A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6354
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@15V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：16A€40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G16P03D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6354
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@15V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：16A€40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
