采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB041PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@100V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@21.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB041PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@100V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@21.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB041PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@100V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@21.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STWA75N60M6
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4850pF@100V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@36A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：14374，"17+"：186，"MI+"：400}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：14374，"17+"：186，"MI+"：400}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW72N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW72N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW72N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW72N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：14374，"17+"：186，"MI+"：400}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：14374，"17+"：186，"MI+"：400}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW72N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：14374，"17+"：186，"MI+"：400}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：14374，"17+"：186，"MI+"：400}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R017C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4V@2.91mA
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9890pF@400V
连续漏极电流：109A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@58.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW72N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW72N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5508pF@100V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW72N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@250µA
输入电容：5508pF@100V
类型：N沟道
连续漏极电流：66A
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：管件
导通电阻：42mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
