采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：36000，"13+"：7940，"15+"：336000，"18+"：629869}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNUS3171PZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@15V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LFTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LFTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNUS3171PZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@15V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19.1pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV3C002UNT2CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV3C002UNT2CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LFTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
