采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7050，"9999"：284}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF04N62ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP5NK52ZD
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：529pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：520V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3402_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：71000，"15+"：775，"16+"：2381，"9999"：494，"MI+"：100}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R950C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：115421，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R950C6AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP5NK50Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP5NK50ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP5NK50Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDU6N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDU6N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H060LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@50V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP5NK50Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV42ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV42ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5N52U
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV42ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
