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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：931pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：931pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：931pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：931pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：931pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：931pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：931pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：931pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3037LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：931pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
