品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":97}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5623pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5623pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5623pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5623pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTR102N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:330W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10900pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@51A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTR102N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:330W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10900pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@51A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5623pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5623pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5623pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5623pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTR102N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:330W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10900pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@51A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@27A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
连续漏极电流:54A
导通电阻:77mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
连续漏极电流:54A
导通电阻:77mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
连续漏极电流:54A
导通电阻:77mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
连续漏极电流:54A
导通电阻:77mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
连续漏极电流:54A
导通电阻:77mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: