销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP32314
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1420pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3411}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ31HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1162pF@100V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":6539,"9999":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ31H3046XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1162pF@100V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP32314
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1420pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":6539,"9999":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ31H3046XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2008LFU-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@250A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1418pF@10V
连续漏极电流:14.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.4mΩ@5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":6539,"9999":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ31H3046XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1162pF@100V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3411}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ31HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2008LFU-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@250A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1418pF@10V
连续漏极电流:14.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.4mΩ@5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1162pF@100V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP32314
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1420pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1162pF@100V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2008LFU-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@250A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1418pF@10V
连续漏极电流:14.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.4mΩ@5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: