品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R065C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R065C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R065C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP33N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R065C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG33N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3454pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R065C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@850µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP33N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R065C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@850µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP33N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG33N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3454pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R065C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@850µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R065C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R065C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP33N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP33N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP33N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP33N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP33N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP33N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: