品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SiZ918DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@15V
连续漏极电流:16A€28A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"18+":549,"19+":870,"17+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7676
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@15V
连续漏极电流:16A€28A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIZ918DT-T1-GE3
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功率:29W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
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类型:2个N通道(半桥)
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规格型号(MPN):SIZ918DT-T1-GE3
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类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIZ918DT-T1-GE3
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功率:29W€100W
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类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIZ918DT-T1-GE3
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功率:29W€100W
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连续漏极电流:16A€28A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
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连续漏极电流:16A€28A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
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行业应用:工业,汽车
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功率:29W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
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输入电容:790pF@15V
连续漏极电流:16A€28A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIZ918DT-T1-GE3
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功率:29W€100W
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行业应用:工业,汽车
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功率:29W€100W
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连续漏极电流:16A€28A
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导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
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行业应用:工业,汽车
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功率:29W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
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连续漏极电流:16A€28A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
功率:29W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@15V
连续漏极电流:16A€28A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ918DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@15V
连续漏极电流:16A€28A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ918DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@15V
连续漏极电流:16A€28A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ918DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@15V
连续漏极电流:16A€28A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ918DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@15V
连续漏极电流:16A€28A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"18+":549,"19+":870,"17+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7676
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@15V
连续漏极电流:16A€28A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ918DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@15V
连续漏极电流:16A€28A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7676
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@15V
连续漏极电流:16A€28A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ918DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@15V
连续漏极电流:16A€28A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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