品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:195.3W
阈值电压:4.5V@900µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB070N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R110CFDATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:277.8W
阈值电压:4.5V@1.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@100V
连续漏极电流:31.2A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@12.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB070N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:195.3W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB260N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65D5
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL10N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB150N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@540µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1999pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R380E6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT180N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4.5V@1.8mA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:128W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB070N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":154}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB150N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@540µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1985pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:195.3W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.2W
阈值电压:2.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.9V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: