品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0124A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@250mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2460N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@2mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0124A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@250mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@50V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@160mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2460N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@2mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN4012L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@1mA
包装方式:袋
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@100mA,4.5V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@50V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@160mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2460N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@2mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0124A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@250mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN55D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN55D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0124A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@250mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0124A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@250mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@50V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@160mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0124A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@250mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2460N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@2mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2460N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@2mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2460N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@2mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2460N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@2mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@50V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@160mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@50V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@160mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN4012L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@100mA,4.5V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN4012L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@1mA
包装方式:袋
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@100mA,4.5V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN4012L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@1mA
包装方式:袋
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@100mA,4.5V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN55D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2460N3-G
包装方式:袋
导通电阻:20Ω@100mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@2mA
输入电容:150pF@25V
漏源电压:600V
连续漏极电流:160mA
功率:1W
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123W RFG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:160mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:2nC@10V
功率:298mW
输入电容:30pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:5Ω@160mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN55D0UT-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:25pF@10V
导通电阻:4Ω@100mA,4V
连续漏极电流:160mA
漏源电压:50V
类型:N沟道
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN4012L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@100mA,4.5V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN55D0UTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: