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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：480mA
功率：1.6W
漏源电压：100V
输入电容：125pF@25V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5335K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：350V
输入电容：110pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：85mA
ECCN：EAR99
导通电阻：30Ω@200mA，10V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP0701N3-G
包装方式：袋
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：16.5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
导通电阻：1.5Ω@300mA，5V
功率：1W
输入电容：250pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：360mW
连续漏极电流：160mA
阈值电压：2V@1mA
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.4V@1mA
导通电阻：10Ω@200mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2540N8-G
导通电阻：25Ω@100mA，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：125mA
阈值电压：2.4V@1mA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：250mA
导通电阻：8Ω@500mA，10V
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：袋
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G
功率：740mW
包装方式：袋
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：175mA
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
包装方式：袋
阈值电压：4.5V@1mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
功率：1W
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
包装方式：袋
阈值电压：4.5V@1mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
功率：1W
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
连续漏极电流：120mA
阈值电压：2.4V@1mA
导通电阻：10Ω@200mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
功率：740mW
包装方式：袋
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
连续漏极电流：430mA
输入电容：150pF@20V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
包装方式：袋
阈值电压：4.5V@1mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
功率：1W
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G-P003
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：450pF@25V
漏源电压：60V
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
功率：740mW
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2540N8-G
导通电阻：25Ω@100mA，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：125mA
阈值电压：2.4V@1mA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：125pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：480mA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N3-G
功率：740mW
漏源电压：500V
包装方式：袋
导通电阻：30Ω@100mA，10V
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：100mA
阈值电压：3.5V@1mA
输入电容：190pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0104N3-G
包装方式：袋
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：250mA
功率：1W
导通电阻：8Ω@500mA，10V
阈值电压：3.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：125pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：480mA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N8-G
漏源电压：500V
导通电阻：30Ω@100mA，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：160mA
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@1mA
输入电容：190pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2110K1-G
导通电阻：12Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：100V
阈值电压：3.5V@1mA
连续漏极电流：120mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0106N3-G
包装方式：袋
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
功率：1W
导通电阻：8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
阈值电压：3.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
连续漏极电流：120mA
阈值电压：2.4V@1mA
导通电阻：10Ω@200mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0606N3-G
包装方式：袋
连续漏极电流：320mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：150pF@25V
功率：1W
漏源电压：60V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2640N3-G
包装方式：袋
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：15Ω@300mA，10V
输入电容：300pF@25V
功率：1W
连续漏极电流：180mA
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2502N8-G
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：20V
输入电容：125pF@20V
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
连续漏极电流：630mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
功率：740mW
包装方式：袋
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
阈值电压：3.5V@10mA
连续漏极电流：650mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5335K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：350V
输入电容：110pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：85mA
ECCN：EAR99
导通电阻：30Ω@200mA，10V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N8-G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.1A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
导通电阻：600mΩ@1.5A，10V
类型：P沟道
阈值电压：3.5V@10mA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
导通电阻：8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：袋
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
