品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2050LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:389pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:45mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2050LFDB-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:389pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:45mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2050LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:389pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:45mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2050LFDB-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:389pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:45mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2050LFDB-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:389pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:45mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2050LFDB-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:389pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:45mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4886
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2050LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:389pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:45mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: