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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：121mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
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漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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输入电容：156pF@6V
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：121mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：121mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
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输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：121mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17484F4
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功率：500mW
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输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：121mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
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输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：121mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
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输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
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输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
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输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：121mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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输入电容：156pF@6V
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类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
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功率：500mW
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类型：N沟道
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
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功率：500mW
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
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连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：121mΩ@500mA，8V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：121mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：121mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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