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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P02E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:5.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525E6TA 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525E6TA 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:197mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3407SSN-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3407SSN-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3407SSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3499DV-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3499DV-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:750mV@250µA

    栅极电荷:42nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3101FT1G 起订627个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3101FT1G 起订627个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":685,"07+":255925,"08+":3250,"09+":47000,"10+":2212,"15+":79412,"16+":2400,"MI+":87000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3101FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525E6TA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525E6TA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:197mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD2110TT1G 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD2110TT1G 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":45000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD2110TT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1072pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6QTA 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6QTA 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A57E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM64P03XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:825pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P02XTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P02XTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM64P02XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6QTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订250个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订250个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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