采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1475，"12+"：18761}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1475，"12+"：18761}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD45P4LLF6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
