采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2359}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D4N03S
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10250pF@15V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.09mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2359}
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规格型号(MPN)：FDMS1D4N03S
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10250pF@15V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.09mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS1D4N03S
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10250pF@15V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.09mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"21+"：2359}
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工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3V@1mA
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栅极电荷：65nC@4.5V
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输入电容：10250pF@15V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.09mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3V@1mA
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栅极电荷：65nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10250pF@15V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.09mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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