采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123WQ-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
输入电容：21.5pF@25V
类型：N沟道
栅极电荷：2.5nC@10V
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@170mA，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
功率：360mW
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
输入电容：20pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123WQ-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：200mW
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
功率：360mW
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
输入电容：20pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98180-100A/CUX
导通电阻：173mΩ@5A，10V
连续漏极电流：4.6A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：619pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
功率：360mW
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
输入电容：20pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：05+
规格型号(MPN)：BSS123TA
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
功率：360mW
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
输入电容：20pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98180-100A/CUX
导通电阻：173mΩ@5A，10V
连续漏极电流：4.6A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：619pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9875-100A/CUX
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
输入电容：1690pF@25V
导通电阻：72mΩ@8A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2510N8-G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：730mA
类型：N沟道
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
输入电容：125pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123WQ-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2510N8-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
输入电容：125pF@25V
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
连续漏极电流：730mA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123WQ-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：200mW
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
功率：360mW
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
输入电容：20pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123Q-13
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：300mW
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123Q-7
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
导通电阻：6Ω@170mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
功率：360mW
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
输入电容：20pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123WQ-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：200mW
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
导通电阻：6Ω@170mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：200mW
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9875-100A/CUX
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@8A，10V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：1690pF@25V
漏源电压：100V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9875-100A/CUX
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
