采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123WQ-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
功率：360mW
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
输入电容：20pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123WQ-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：200mW
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
功率：360mW
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
输入电容：20pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
功率：360mW
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
输入电容：20pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：05+
规格型号(MPN)：BSS123TA
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
功率：360mW
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
输入电容：20pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-7
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8L-7
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123WQ-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123WQ-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：200mW
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8L-7
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
功率：360mW
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
输入电容：20pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123Q-13
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：300mW
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123Q-7
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
导通电阻：6Ω@170mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
功率：360mW
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
输入电容：20pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123WQ-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：200mW
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-7
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
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连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-7
功率：390mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
栅极电荷：0.74nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
导通电阻：6Ω@170mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W-7-F
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@170mA，10V
功率：200mW
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：0.74nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：470mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
