采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3402_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17318Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：16W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17318Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：16W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17318Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：16W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17318Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：16W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17318Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：16W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17318Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：16W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17318Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：16W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17318Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：16W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3402_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
