首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    功率:301mW

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJS4151PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.2A

    功率:1.2W

    输入电容:850pF@10V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD2C02R2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD2C02R2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"06+":2201,"08+":6490,"10+":6061}

    规格型号(MPN):NTMD2C02R2G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N和P沟道

    导通电阻:43mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    输入电容:1100pF@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:5.2A€3.4A

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订45000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订45000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    功率:301mW

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    输入电容:3640pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:70nC@4.5V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT5G 起订14个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT5G 起订14个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT5G

    阈值电压:1.2V@250µA

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:310mW

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    输入电容:120pF@16V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:420mW

    ECCN:EAR99

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTRV4101PT1G 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTRV4101PT1G 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTRV4101PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:420mW

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":606,"22+":21000,"23+":57000,"24+":358}

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3100CT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3100CT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3100CT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N和P沟道

    输入电容:165pF@10V

    功率:1.1W

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:2.9A€3.2A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:310mW

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:750mA

    输入电容:120pF@16V

    漏源电压:20V

    类型:N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT5G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT5G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT5G

    阈值电压:1.2V@250µA

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:310mW

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:750mA

    输入电容:120pF@16V

    漏源电压:20V

    类型:N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT2G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT2G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4152PT2G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:880mA

    输入电容:155pF@20V

    类型:2个P沟道(双)

    功率:272mW

    漏源电压:20V

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4151PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4151PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4151PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    输入电容:156pF@5V

    功率:313mW

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR4501NT1G 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR4501NT1G 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR4501NT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    输入电容:200pF@10V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:6nC@4.5V

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:310mW

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    输入电容:120pF@16V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR4501NT1G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR4501NT1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR4501NT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    输入电容:200pF@10V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:6nC@4.5V

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ1323NZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ1323NZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":26611,"23+":22998,"MI+":9644}

    规格型号(MPN):FDZ1323NZ

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:13mΩ@1A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    输入电容:2055pF@10V

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)共漏

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3102CT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3102CT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3102CT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.4A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    连续漏极电流:4A€3.1A

    漏源电压:20V

    输入电容:510pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3139PT5G 起订50000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3139PT5G 起订50000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3139PT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@16V

    连续漏极电流:660mA

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@780mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订14个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订14个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:310mW

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:750mA

    输入电容:120pF@16V

    漏源电压:20V

    类型:N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:850pF@10V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:1W

    栅极电荷:10nC@4.5V

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订633个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订633个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:420mW

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ1323NZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ1323NZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ1323NZ

    阈值电压:1.2V@250µA

    功率:500mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:13mΩ@1A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2055pF@10V

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3102CT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3102CT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3102CT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.4A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    连续漏极电流:4A€3.1A

    漏源电压:20V

    输入电容:510pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:420mW

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧