品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
功率:301mW
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4151PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.2A
功率:1.2W
输入电容:850pF@10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":2201,"08+":6490,"10+":6061}
规格型号(MPN):NTMD2C02R2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道
导通电阻:43mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:1100pF@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.2A€3.4A
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
功率:301mW
类型:P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS10P02R2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14mΩ@10A,4.5V
输入电容:3640pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:70nC@4.5V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3134NT5G
阈值电压:1.2V@250µA
导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:310mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
输入电容:120pF@16V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:420mW
ECCN:EAR99
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTRV4101PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:420mW
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":606,"22+":21000,"23+":57000,"24+":358}
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD3100CT1G
阈值电压:1.2V@250µA
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道
输入电容:165pF@10V
功率:1.1W
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.9A€3.2A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3134NT1G
阈值电压:1.2V@250µA
导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:310mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:750mA
输入电容:120pF@16V
漏源电压:20V
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3134NT5G
阈值电压:1.2V@250µA
导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:310mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:750mA
输入电容:120pF@16V
漏源电压:20V
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4152PT2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:880mA
输入电容:155pF@20V
类型:2个P沟道(双)
功率:272mW
漏源电压:20V
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTE4151PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
输入电容:156pF@5V
功率:313mW
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR4501NT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
输入电容:200pF@10V
漏源电压:20V
栅极电荷:6nC@4.5V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3134NT1G
阈值电压:1.2V@250µA
导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:310mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
输入电容:120pF@16V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR4501NT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
输入电容:200pF@10V
漏源电压:20V
栅极电荷:6nC@4.5V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":26611,"23+":22998,"MI+":9644}
规格型号(MPN):FDZ1323NZ
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
导通电阻:13mΩ@1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
输入电容:2055pF@10V
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD3102CT1G
阈值电压:1.2V@250µA
类型:N和P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
连续漏极电流:4A€3.1A
漏源电压:20V
输入电容:510pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3139PT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@780mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3134NT1G
阈值电压:1.2V@250µA
导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:310mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:750mA
输入电容:120pF@16V
漏源电压:20V
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:850pF@10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:1W
栅极电荷:10nC@4.5V
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:420mW
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ1323NZ
阈值电压:1.2V@250µA
功率:500mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
导通电阻:13mΩ@1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2055pF@10V
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD3102CT1G
阈值电压:1.2V@250µA
类型:N和P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
连续漏极电流:4A€3.1A
漏源电压:20V
输入电容:510pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:420mW
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: