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    品牌: DIODES
    工作温度: -55℃~150℃
    阈值电压: 1.2V@250µA
    类型: N沟道
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005UFG-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:6495pF@10V

    栅极电荷:164nC@10V

    漏源电压:20V

    功率:1.05W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V

    连续漏极电流:18.1A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订73个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订73个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058UW-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:7.7nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:500mW

    导通电阻:42mΩ@3A,10V

    漏源电压:20V

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:667pF@10V

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:7.7nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:4.6A

    导通电阻:35mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    输入电容:281pF@10V

    功率:1.13W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420UQ-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.47A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:740mW

    漏源电压:20V

    输入电容:434.7pF@10V

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420U-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.47A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    漏源电压:20V

    输入电容:434.7pF@10V

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005UFG-13

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:6495pF@10V

    栅极电荷:164nC@10V

    漏源电压:20V

    功率:1.05W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V

    连续漏极电流:18.1A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:58.3nC@10V

    输入电容:2555pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    连续漏极电流:12A

    导通电阻:8mΩ

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:667pF@10V

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订44个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订44个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:667pF@10V

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420UQ-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.47A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:740mW

    漏源电压:20V

    输入电容:434.7pF@10V

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    功率:350mW

    连续漏极电流:300mA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:39pF@3V

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:667pF@10V

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:667pF@10V

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:667pF@10V

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058UW-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:7.7nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:500mW

    导通电阻:42mΩ@3A,10V

    漏源电压:20V

    输入电容:281pF@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:3.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN25D0UFA-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN25D0UFA-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    输入电容:27.9pF@10V

    功率:280mW

    连续漏极电流:240mA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1706pF@10V

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    连续漏极电流:12.1A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:58.3nC@10V

    输入电容:2555pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    连续漏极电流:12A

    导通电阻:8mΩ

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    功率:350mW

    连续漏极电流:300mA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:39pF@3V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420UQ-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.47A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:740mW

    漏源电压:20V

    输入电容:434.7pF@10V

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDF-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDF-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2015UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:42.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1439pF@10V

    连续漏极电流:15.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041L-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041L-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2041L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:15.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.05W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:164nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6495pF@10V

    连续漏极电流:18.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005UFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.05W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:164nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6495pF@10V

    连续漏极电流:18.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2555pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041L-7 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041L-7 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2041L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:15.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:29
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434.7pF@10V

    连续漏极电流:5.47A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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