品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIE822DF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIE822DF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
连续漏极电流:50A
栅极电荷:78nC@10V
输入电容:4200pF@10V
功率:5.2W€104W
漏源电压:20V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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