品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20P10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1328pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20N06A-TP
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20P10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1328pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6681Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1328pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6681Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20N06A-TP
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1328pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1328pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6681Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20P10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6681Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6681Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20N06A-TP
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1328pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20P10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: