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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SY-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SY-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SY-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SY-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SY-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SY-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SY-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SY-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SY-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM6296
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2005pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SY-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SY-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SY-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
