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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC6070LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：731pF@20V€618pF@20V
连续漏极电流：3.1A€2.4A
导通电阻：100mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC6070LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：731pF@20V€618pF@20V
连续漏极电流：3.1A€2.4A
导通电阻：100mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6185SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：708pF@30V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6185SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：708pF@30V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6185SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：708pF@30V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC6070LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：731pF@20V€618pF@20V
连续漏极电流：3.1A€2.4A
导通电阻：100mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC6070LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：731pF@20V€618pF@20V
连续漏极电流：3.1A€2.4A
导通电阻：100mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC6070LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：731pF@20V€618pF@20V
连续漏极电流：3.1A€2.4A
导通电阻：100mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMHC6070LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：731pF@20V€618pF@20V
连续漏极电流：3.1A€2.4A
导通电阻：100mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6185SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：708pF@30V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
