品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8013S
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:6.4mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
连续漏极电流:13A€26A
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:800mW€900mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:827pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
输入电容:478.9pF@16V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7200S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:700mW€1W
ECCN:EAR99
输入电容:660pF@15V
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:22mΩ@6A,10V
连续漏极电流:7A€13A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1900DL-T1-E3
功率:270mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:590mA
导通电阻:480mΩ@590mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7602S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:12A€17A
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1750pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
类型:2N沟道(双)
输入电容:478.9pF@16V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1900DL-T1-GE3
功率:300mW€270mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:630mA€590mA
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:480mΩ@590mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":23252}
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:520pF@15V
功率:680mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":25350,"10+":7987,"11+":1197,"12+":20881,"15+":1319,"16+":489,"MI+":2500}
规格型号(MPN):NTMD4820NR2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:4.9A
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
功率:750mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:940pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7602S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
输入电容:1750pF@15V
功率:1W
连续漏极电流:12A€17A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3024LSD-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.8A
类型:2N沟道(双)
输入电容:608pF@15V
功率:1.8W
导通电阻:24mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7620S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:608pF@15V
连续漏极电流:10.1A€12.4A
功率:1W
导通电阻:20mΩ@10.1A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
功率:46W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4936CDY-T1-GE3
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:40mΩ@5A,10V
功率:2.3W
输入电容:325pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4N03R2G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4A,10V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
输入电容:400pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8200S
导通电阻:20mΩ@6A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:700mW€1W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6A€8.5A
类型:2N沟道(双)
输入电容:660pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":190,"23+":18297,"MI+":1797}
规格型号(MPN):NTMD4N03R2G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4A,10V
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
输入电容:400pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4502NT1G
功率:640mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:85mΩ@2.9A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.2A
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
输入电容:140pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6561AN
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@2.5A,10V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:700mW
输入电容:220pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDB-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.7A
输入电容:393pF@15V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:20mΩ@9A,10V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6912A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
输入电容:575pF@15V
导通电阻:28mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: