采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
类型：P沟道
栅极电荷：5.6nC@10V
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350S-13
功率：720mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.1nC@10V
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
类型：P沟道
栅极电荷：5.6nC@10V
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350SQ-7
功率：720mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.1nC@10V
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350S-7
功率：720mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.1nC@10V
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350SQ-7
功率：720mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.1nC@10V
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350S-13
功率：720mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.1nC@10V
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
类型：P沟道
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：5.6nC@10V
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350S-13
功率：720mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.1nC@10V
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
类型：P沟道
栅极电荷：5.6nC@10V
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
类型：P沟道
栅极电荷：5.6nC@10V
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350S-13
功率：720mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.1nC@10V
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350S-7
功率：720mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.1nC@10V
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350SQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350SQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350SQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350SQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
