品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4840
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:30mΩ@6A,10V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
输入电容:650pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8949
输入电容:955pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
导通电阻:29mΩ@6A,10V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8949
输入电容:955pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
导通电阻:29mΩ@6A,10V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:720pF@20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSD-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:24mΩ@6A,10V
类型:2N沟道(双)
功率:1.3W
输入电容:1060pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8949
输入电容:955pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
导通电阻:29mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4031SSDQ-13
导通电阻:31mΩ@6A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:1.42W
连续漏极电流:5.2A
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
输入电容:945pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSD-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:24mΩ@6A,10V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
功率:1.3W
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSD-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:24mΩ@6A,10V
类型:2N沟道(双)
功率:1.3W
输入电容:1060pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSD-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:24mΩ@6A,10V
类型:2N沟道(双)
功率:1.3W
输入电容:1060pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC9430L-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:984pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:11.4W
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:12A
导通电阻:8mΩ@12A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:4.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4840
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4031SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@20V
连续漏极电流:5.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:31mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC9430L-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:11.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:984pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:4.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8949
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:955pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4031SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@20V
连续漏极电流:5.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:31mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4031SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@20V
连续漏极电流:5.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:31mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4840
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:4.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC9430L-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:11.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:984pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4031SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@20V
连续漏极电流:5.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:31mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:4.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4031SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@20V
连续漏极电流:5.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:31mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4840
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:4.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: