采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4015SSD-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1.2W
连续漏极电流：8.6A€6.2A
输入电容：1810pF@20V
类型：N和P沟道
导通电阻：15mΩ@3A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：3W€3.1W
输入电容：640pF@20V
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：6.8A€5.8A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4015SSD-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1.2W
连续漏极电流：8.6A€6.2A
输入电容：1810pF@20V
类型：N和P沟道
导通电阻：15mΩ@3A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：4050}
规格型号(MPN)：FDS4897C
导通电阻：29mΩ@6.2A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：900mW
输入电容：760pF@20V
类型：N和P沟道
连续漏极电流：6.2A€4.4A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4015SSD-13
输入电容：1810pF@20V
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
导通电阻：15mΩ@3A，10V
功率：1.2W
连续漏极电流：8.6A€6.2A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：3W€3.1W
输入电容：640pF@20V
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：6.8A€5.8A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614BL
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V€1175pF@20V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：6A€5A
漏源电压：40V
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614BL
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V€1175pF@20V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：6A€5A
漏源电压：40V
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4015SSD-13
包装方式：卷带（TR）
类型：N+P-Channel
漏源电压：40V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：8.6A€6.2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：369900，"MI+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4897AC
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：26mΩ@6.1A，10V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：900mW
连续漏极电流：6.1A€5.2A
类型：N和P沟道
输入电容：1055pF@20V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4015SSD-13
包装方式：卷带（TR）
类型：N+P-Channel
漏源电压：40V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：8.6A€6.2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4028SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：604pF@20V
连续漏极电流：6.5A€4.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：N+P-Channel
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N-Channel
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8424H
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@20V
连续漏极电流：9A€6.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N-Channel
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：N+P-Channel
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：N+P-Channel
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N-Channel
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4028SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：604pF@20V
连续漏极电流：6.5A€4.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：N+P-Channel
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：N+P-Channel
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614BL
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V€1175pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：N+P-Channel
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：N+P-Channel
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：N+P-Channel
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4897C
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@20V
连续漏极电流：6.2A€4.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：6.8A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：N+P-Channel
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4028SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：604pF@20V
连续漏极电流：6.5A€4.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
