采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4894BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@15V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3404A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4822-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3404A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4822-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4822-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4894BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@15V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3404A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3404A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7309QTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4A€3A
类型：N和P沟道
导通电阻：50mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4894BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@15V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3404A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3404A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
