品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SY-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SY-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SY-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SY-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SY-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SY-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3652,"22+":15869,"23+":9000,"24+":15000,"MI+":5797}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SY-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SY-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3652,"22+":15869,"23+":9000,"24+":15000,"MI+":5797}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3652,"22+":15869,"23+":9000,"24+":15000,"MI+":5797}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3652,"22+":15869,"23+":9000,"24+":15000,"MI+":5797}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
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漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SY-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: