品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC5018SG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:17A€32A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7602S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@15V
连续漏极电流:12A€17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6912A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@24V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8013S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:827pF@15V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.4mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS015P03P8ZTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.66W€33.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:13.4A€47.6A
类型:P沟道
导通电阻:9.3mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5352
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:131nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6940pF@30V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@13.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8840NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7535pF@20V
连续漏极电流:18.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8327L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@20V
连续漏极电流:12A€14A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5618P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@30V
连续漏极电流:1.25A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8020
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€65W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@15V
连续漏极电流:26A€42A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@26A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":420,"22+":2900,"23+":5491,"24+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:22A€96A
类型:P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11130pF@30V
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN86501LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:116mΩ@2.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3500
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4765pF@40V
连续漏极电流:9.2A€49A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@11.5A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8327L-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@20V
连续漏极电流:12A€14A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS4195PZTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7696
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@15V
连续漏极电流:12A€20A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@20V
连续漏极电流:8.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5352
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:131nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6940pF@30V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@13.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3965pF@20V
连续漏极电流:27A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8840NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7535pF@20V
连续漏极电流:18.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: