采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：4.4A€5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4465ADY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.7A€20A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@14A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4465ADY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.7A€20A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@14A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：4.4A€5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
