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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2200，"20+"：3000，"22+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：307000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：3000，"10+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：3000，"10+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：307000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2200，"20+"：3000，"22+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2200，"20+"：3000，"22+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
输入电容：550pF@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
栅极电荷：8.6nC@4.5V
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：307000}
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTBG
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：960pF@15V
导通电阻：62mΩ@4.5A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
