品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: