采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A30PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1651pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
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功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
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输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
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输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
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输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
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连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
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连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
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输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
功率：480mW
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
栅极电荷：5.8nC@4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
功率：480mW
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
栅极电荷：5.8nC@4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
功率：480mW
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A30PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1651pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1200UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：514pF@5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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