品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2038LVT-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:530pF@10V
类型:N和P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:3.7A€2.6A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016V-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:870mA€640mA
类型:N和P沟道
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT2G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
连续漏极电流:540mA€430mA
输入电容:150pF@16V
类型:N和P沟道
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5517DU-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
类型:N和P沟道
导通电阻:39mΩ@4.4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:520pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1034CZT
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A€2.6A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC21D1UDA-7B
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:455mA€328mA
功率:300mW
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:31pF@15V€28.5pF@15V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016UDW-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
输入电容:60.67pF@10V
类型:N和P沟道
连续漏极电流:1.07A€845mA
功率:330mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA€200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA€200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2990UDJ-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:450mA€310mA
输入电容:27.6pF@15V
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:6.25W
连续漏极电流:11.6A€9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2700UDM-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.34A€1.14A
类型:N和P沟道
功率:1.12W
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA€200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1016X-T1-GE3
类型:N和P沟道
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:485mA€370mA
漏源电压:20V
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
输入电容:150pF@16V
类型:N和P沟道
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:540mA€430mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016UDW-7
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.07A€845mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
输入电容:60.67pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016UDW-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
输入电容:60.67pF@10V
类型:N和P沟道
连续漏极电流:1.07A€845mA
功率:330mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2308-TP
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A€4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCMNP2065A-TP
输入电容:418pF@10V€880pF@6V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A€4A
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2038LVT-7
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:3.7A€2.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: