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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2600UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70.13pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
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阈值电压：1V@250µA
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类型：N沟道
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功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70.13pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
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栅极电荷：5nC@10V
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输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
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导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
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阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
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类型：N沟道
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功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70.13pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
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功率：540mW
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栅极电荷：5nC@10V
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输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
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输入电容：85pF@25V
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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