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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110LCP3-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.52nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD25211W1015
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功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD25211W1015
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功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3110LCP3-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.52nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
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品牌：TI
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
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类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
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工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.2A
输入电容：570pF@10V
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
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类型：P沟道
漏源电压：20V
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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