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    阈值电压: 1.1V@250µA
    类型: P沟道
    漏源电压: 20V
    当前匹配商品:100+
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    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:655pF@10V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订7500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订7500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2038USS-13

    导通电阻:38mΩ@5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    输入电容:1496pF@15V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.5W€6.3W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2945pF@10V

    阈值电压:1.1V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21117 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21117 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21117

    连续漏极电流:26.5A€34A

    栅极电荷:88nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:4.8mΩ@20A,4.5V

    功率:5W€43W

    阈值电压:1.1V@250µA

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:6560pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:655pF@10V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25211W1015 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25211W1015 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25211W1015

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.2A

    输入电容:570pF@10V

    导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V

    阈值电压:1.1V@250µA

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25213W10

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    类型:P沟道

    连续漏极电流:1.6A

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    功率:1W

    输入电容:478pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1537pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1537pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:655pF@10V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:655pF@10V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:655pF@10V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KE-TP 起订14个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KE-TP 起订14个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3139KE-TP

    连续漏极电流:660mA

    功率:150mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:170pF@6V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21117 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21117 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21117

    连续漏极电流:26.5A€34A

    栅极电荷:88nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:4.8mΩ@20A,4.5V

    功率:5W€43W

    阈值电压:1.1V@250µA

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:6560pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    输入电容:655pF@10V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25213W10

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    类型:P沟道

    连续漏极电流:1.6A

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    功率:1W

    输入电容:478pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2022LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:56.9nC@10V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2444pF@10V

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25213W10

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    类型:P沟道

    连续漏极电流:1.6A

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    功率:1W

    输入电容:478pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订12个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订12个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3139KEA-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.86nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2038USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1496pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订12个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订12个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3139KEA-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.86nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订8个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订8个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25213W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2022LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2444pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2038USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1496pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSS-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSS-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2022LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:56.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2444pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P-Channel

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
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