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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0UFB4-7B
连续漏极电流：540mA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：76pF@15V
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
类型：P沟道
功率：460mW
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0U-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：530mA
输入电容：76pF@15V
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
类型：P沟道
功率：450mW
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKW，115
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
漏源电压：30V
功率：260mW€830mW
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0U-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：530mA
输入电容：76pF@15V
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
类型：P沟道
功率：450mW
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBK，215
功率：350mW€1.14W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
类型：P沟道
连续漏极电流：230mA
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKW，115
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
漏源电压：30V
功率：260mW€830mW
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBK，215
功率：350mW€1.14W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
类型：P沟道
连续漏极电流：230mA
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0U-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：530mA
输入电容：76pF@15V
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
类型：P沟道
功率：450mW
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKW，115
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
漏源电压：30V
功率：260mW€830mW
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBK，215
功率：350mW€1.14W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
类型：P沟道
连续漏极电流：230mA
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0UFB4-7B
连续漏极电流：540mA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：76pF@15V
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
类型：P沟道
功率：460mW
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKW，115
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
漏源电压：30V
功率：260mW€830mW
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBK，215
功率：350mW€1.14W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
类型：P沟道
连续漏极电流：230mA
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@15V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@15V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@15V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@400mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€1.14W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008PBKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：4.1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
