品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2014LHAB-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKSH
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKS,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKS,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2014LHAB-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKSH
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKS,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKS,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3994,"23+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.63W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKS,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKSH
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKS,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKS,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKSH
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKS,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: