采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€113W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4665pF@50V
连续漏极电流：16A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI740GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI740GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€113W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4665pF@50V
连续漏极电流：16A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI740GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI740GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€113W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4665pF@50V
连续漏极电流：16A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI740GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI740GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI740GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€113W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4665pF@50V
连续漏极电流：16A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI740GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI740GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€113W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4665pF@50V
连续漏极电流：16A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
