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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL014NTRPBF
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.9A，10V
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：190pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：3000，"22+"：5487，"MI+"：2406}
规格型号(MPN)：FDC2512-P
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：150V
输入电容：344pF@75V
导通电阻：425mΩ@1.4A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL014TRPBF-BE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：200mΩ@1.6A，10V
功率：2W€3.1W
栅极电荷：11nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
包装方式：卷带（TR）
功率：56.8W
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：77mΩ@12A，10V
输入电容：765pF@75V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL014TRPBF-BE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：200mΩ@1.6A，10V
功率：2W€3.1W
栅极电荷：11nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"05+"：30240，"06+"：20160，"MI+"：5040}
规格型号(MPN)：SSU1N50BTU
导通电阻：5.3Ω@650mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：340pF@25V
漏源电压：520V
阈值电压：4V@250µA
功率：2.5W€26W
连续漏极电流：1.3A
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL014TRPBF
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：200mΩ@1.6A，10V
功率：2W€3.1W
栅极电荷：11nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
包装方式：卷带（TR）
功率：56.8W
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：77mΩ@12A，10V
输入电容：765pF@75V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：IRFR014PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：7.7A
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
栅极电荷：11nC@10V
功率：2.5W€25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014TRPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：7.7A
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
栅极电荷：11nC@10V
功率：2.5W€25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014TRPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：7.7A
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
栅极电荷：11nC@10V
功率：2.5W€25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014TRPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：7.7A
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
栅极电荷：11nC@10V
功率：2.5W€25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：5395，"23+"：3000}
规格型号(MPN)：FDMS86105
输入电容：645pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
连续漏极电流：6A€26A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86105
输入电容：645pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
连续漏极电流：6A€26A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL014TRPBF
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：200mΩ@1.6A，10V
功率：2W€3.1W
栅极电荷：11nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014TRLPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：7.7A
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
栅极电荷：11nC@10V
功率：2.5W€25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"22+"：5487，"MI+"：2406}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2512-P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@75V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL014TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86105
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：645pF@50V
连续漏极电流：6A€26A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL014TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.9A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL014TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014TRLPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL014TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
