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    工作温度: -55℃~150℃
    阈值电压: 4V@250µA
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    类型: P沟道
    当前匹配商品:1000+
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 DMP45H150DHE-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP45H150DHE-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP45H150DHE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:13.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.2pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150Ω@50mA,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR5410TRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR5410TRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR5410TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9120TRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9120TRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A18GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17GQTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17GQTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18KTC 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18KTC 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A18KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.17W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86262P 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86262P 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86262P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:885pF@75V

    连续漏极电流:2A€8.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:307mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9620STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9620STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9620STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9120TRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9120TRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9014TRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9014TRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9014TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9620STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9620STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9620STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9640STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9310TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:7Ω@1.1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    加购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD17P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630STRLPBF 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630STRLPBF 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9630STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86263P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3905pF@75V

    连续漏极电流:4.4A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@50V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:750mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9214TRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9214TRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:3Ω@1.7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
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